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MOS晶体管的栅极电流(Qg)是什么意思?

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MOS晶体管的栅极电流的“Qg”表示Q ----表示电荷量,g -----表示栅极。
Qg是导通MOS晶体管所需的电荷量。
MOS晶体管的栅极特性相当于电容器,电容是电荷量Q,存储的能量以库仑表示。
MOS管的源极和漏极可以反转,它们都是在P型后挡板中形成的N型区域。
在大多数情况下,两个区域是相同的。如果两端都反转,则设备性能不受影响。
这种装置被认为是对称的。
扩展数据MOS电容器的特殊特性用于形成MOS晶体管。
门,电介质和后挡板保持完好无损。
在GATE的两侧有两个附加区域被选择性掺杂。
一个叫做水源,另一个叫做排水。
假设源极和后栅极都接地,漏极连接到正电压。
只要从GATE到BACKGATE的电压低于阈值电压,就不会形成沟道。
由于漏极和尾极之间的PN结是反极性的,因此从漏极到尾极的电流非常小。
请参阅:百科全书百度 - 莫斯管


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